单晶硅棒加工成单晶硅抛光硅片工艺加工流程

  单晶生长→切断→外径滚磨→端面磨削、抛光→切片

  倒角→研磨    腐蚀--抛光→清洗→包装

  切断:目的是切除单晶硅棒的头部、尾部及超出客户规格的部分,将单晶硅棒切成的长度。

  切断的设备:四方切割机  

  外径磨削:由于单晶硅棒的外径表面并不平整且直径也比最终抛光晶片所规定的直径规格大,通过外径滚磨可以获得较为精确的直径。

  外径滚磨的设备:外圆磨床

  端面磨削:单晶硅捧四方切割后的端面粗糙,需要端面的磨削和抛光。

  处理的设备:数控单晶硅端面磨床。

  切片:指将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶片。

  切片的设备:内园切割机或线切割机

  倒角:指将切割成的晶片税利边修整成圆弧形,防止晶片边缘破裂及晶格缺陷产生,增加磊晶层及光阻层的平坦度。

  倒角的主要设备:倒角机

  研磨:指通过研磨能除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层,有效改善单晶硅片的曲度、平坦度与平行度,达到一个抛光过程可以处理的规格。

  研磨的设备:双面研磨机

  主要原料:研磨浆料(主要成份为氧化铝,铬砂,水),滑浮液。

  腐蚀:指经切片及研磨等机械加工后,晶片表面受加工应力而形成的损伤层,通常采用化学腐蚀去除。

  腐蚀的方式:(A)酸性腐蚀,是最普遍被采用的。酸性腐蚀液由硝酸(HNO3),氢氟酸(HF),及一些缓冲酸(CH3COCH,H3PO4)组成。

        (B)碱性腐蚀,碱性腐蚀液由KOH或NaOH加纯水组成。

  抛光:指单晶硅片表面需要改善微缺陷,从而获得高平坦度晶片的抛光。

  抛光的设备:多片式抛光机,单片式抛光机。

  抛光的方式:粗抛:主要作用去除损伤层,一般去除量约在10-20um;

        精抛:主要作用改善晶片表面的微粗糙程度,一般去除量1um以下

  主要原料:抛光液由具有SiO2的微细悬硅酸胶及NaOH(或KOH或NH4OH)组成,分为粗抛浆和精抛浆。

  清洗:在单晶硅片加工过程中很多步骤需要用到清洗,这里的清洗主要是抛光后的最终清洗。清洗的目的在于清除晶片表面所有的污染源。

  清洗的方式:主要是传统的RCA湿式化学洗净技术。

  主要原料:H2SO4,H2O2,HF,NH4HOH,HCL

  

数控单晶硅端面磨床

双面研磨机

2010-09-03